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首页> 外文期刊>Journal of Applied Physics >Laser (cw CO2) ‐induced electrical damage in Ge and Si
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Laser (cw CO2) ‐induced electrical damage in Ge and Si

机译：激光（cw CO2）诱导的Ge和Si电损坏

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This paper presents the experimental results on the electrical studies of cw CO2 laser‐induced damage in Ge and Si. The damage first appears at the surface of the semiconductor and penetrates the bulk, creating defects that cause carrier removal and mobility degradation. The defects so created are more active at lower temperatures than at room temperature, as seen from the mobility‐vs‐temperature curves before and after laser damage. Carrier removal and mobility degradation curves appear qualitatively to be similar to those observed for electron, neutron, and γ‐ray damage. The experimental results can be satisfactorily explained by assuming the creation of vacancy and interstitial pairs and applying the model of James and Lark‐Horovitz.
机译：本文介绍了用电学研究连续波CO2激光诱导的锗和硅损伤的实验结果。损伤首先出现在半导体表面并渗透到整个表面，产生导致载流子去除和迁移率降低的缺陷。从激光损伤前后的迁移率-温度曲线可知，这样产生的缺陷在较低温度下比在室温下更活跃。定性的载流子去除和迁移率降解曲线与电子，中子和γ射线损伤观察到的相似。通过假设空缺和间隙对的创建并应用James和Lark-Horovitz模型，可以令人满意地解释实验结果。

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  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |1977年第7期|P.3024-3027|共4页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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