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Electrical measurement of the lateral spread of the proton isolation layer in GaAs

机译：GaAs中质子隔离层横向扩展的电学测量

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Information on the lateral spread of ions and/or damage is contained in the depth distribution normal to a target surface if ions are implanted into a tilted target. Following this principle the lateral spread of the carrier removal distribution formed by 300‐, 400‐, and 500‐keV proton implants in GaAs is evaluated from the several depth distributions of carrier removal which are formed by implants with different tilting angles and measured by the Copeland method. It is found that the lateral spread of carrier removal is largest at a depth near the projected range of protons. For instance the removal rate drops to 10% of its maximum value at about 0.7 μ laterally from a mask edge for 400‐keV protons for which the projected range is about 3.3 μ. It is also found that the lateral spread increases as the incident energy increases but that the ratio of the lateral to the longitudinal spreads decreases.
机译：如果将离子注入到倾斜的目标中，则垂直于目标表面的深度分布中将包含有关离子的横向扩散和/或损坏的信息。遵循这一原理，GaAs中300、400和500keV质子注入形成的载流子去除分布的侧向扩展是根据载流子去除的几种深度分布进行评估的，这些深度分布是由具有不同倾斜角的注入形成的，并通过谷轮法。发现载流子去除的横向扩展在质子的投射范围附近的深度处最大。例如，对于400-keV的质子，从掩模边缘横向移出约0.7μ时，去除率下降至最大值的10％，其投射范围约为3.3μ。还发现，横向扩展随着入射能量的增加而增加，但是横向扩展与纵向扩展的比率减小。

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  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |1977年第7期|P.2779-2783|共5页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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