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Amorphous versus Crystalline GeTe Films. I. Growth and Structural Behavior

机译：非晶与结晶GeTe薄膜。一，成长与结构行为

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摘要

As a part of our structural, optical, and electrical studies of amorphous versus crystalline GeTe films, this paper (Part I) reports on the growth and structural properties of the thin‐film polymorphs (amorphous, rhombohedral, and NaCl) of GeTe. When deposited above ∼130°C, the GeTe films are polycrystalline. Epitaxial or partially oriented growth of the rhombohedral phase is obtained on NaCl and mica at deposition temperatures ∼250°C. An electric field ∼4000 V/cm applied laterally on the substrate during deposition lowers the epitaxial temperature. At temperatures above 250°C, the high‐temperature NaCl structure grows epitaxially. Below a deposition temperature of ∼130°C, the films are amorphous. The amorphous phase transforms very rapidly via random nucleation centers to the crystalline phase at a well‐defined temperature of 145±3°C accompanied by the release of heat ∼1±0.2 kcal/mole (∼½kTm, where k is Boltzmann''s constant and Tm is the melting point of GeTe). The transformation temperature increases linearly with decreasing thickness below 350 Å. The amorphous→crystalline transformation induced thermally as well as by electron beam irradiation has been studied inside the electron microscope. The crystalline phase is found to grow in the form of spherulites and dendrites. If induced by electron beam irradiation, the spherulites are polycrystalline rhombohedral in structure while the dendrites exhibit oriented NaCl structure.
机译：作为我们的非晶，结晶GeTe膜的结构，光学和电学研究的一部分，本文（第一部分）报告了GeTe薄膜多晶型物（非晶，菱面体和NaCl）的生长和结构特性。当在约130°C以上沉积时，GeTe薄膜是多晶的。在约250°C的沉积温度下，在NaCl和云母上获得菱形面相的外延或部分取向生长。在沉积过程中横向施加在基板上的〜4000 V / cm电场会降低外延温度。在高于250°C的温度下，高温NaCl结构会外延生长。在〜130°C的沉积温度以下，薄膜是非晶态的。在145±3°C的确定温度下，非晶相通过随机成核中心迅速转变为晶相，并释放出约1±0.2 kcal / mole（约½kTm的热量，其中k为玻尔兹曼氏常数和Tm是GeTe的熔点）。转变温度随着厚度在350Å以下减小而线性增加。在电子显微镜内部已经研究了热以及电子束辐照引起的非晶→晶体转变。发现结晶相以球晶和树枝状晶体的形式生长。如果通过电子束辐射诱导，则球晶在结构上是多晶的菱面体，而树突则显示出取向的NaCl结构。

著录项

  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |1969年第10期|共8页
  • 作者

    Chopra K. L.; Bahl S. K.;

  • 作者单位

    Ledgemont Laboratory, Kennecott Copper Corporation, Lexington, Massachusetts 02173;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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