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首页> 外文期刊>Journal of Applied Physics >Short‐Term Annealing in 14‐MeV Neutron‐Irradiated Silicon
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Short‐Term Annealing in 14‐MeV Neutron‐Irradiated Silicon

机译：14 MeV中子辐照硅的短期退火

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摘要

Using pulsed sources of 14‐MeV neutrons (dose ∼109 neutrons/cm2) and fission neutrons, an investigation of short‐term annealing in silicon has been performed. In n‐type material, for approximately equal amounts of stable damage, the amount of unstable damage at 5×10-2 sec was ∼3.0 times greater for 14 MeV than for fission‐neutron irradiation. Considering that the ratio of stable damage for equal neutron fluences is ∼2.8, the total and unstable damage ratios at this same time, for equal neutron fluences, are ∼4.6 and ∼8.5. Although the available dose of 14‐MeV neutrons was small, it produced about a factor‐of‐two change in the carrier lifetime of high quality bulk material. No differences in the annealing curves were observed for fission‐neutron irradiations varying by two orders‐of‐magnitude in dose, suggesting that the data obtained for 14‐MeV neutrons would also be valid at higher doses.
机译：利用14 MeV中子（剂量约为109中子/ cm2）和裂变中子的脉冲源，对硅中的短期退火进行了研究。在n型材料中，对于大约相等量的稳定损伤，14 MeV在5×10-2 sec时的不稳定损伤量是裂变中子辐照的约3.0倍。考虑到中子通量相等时稳定损伤的比率约为2.8，同时中子通量相等时总损伤和不稳定损伤的比率分别为4.6和8.5。尽管14 MeV中子的可用剂量很小，但它使高质量散装材料的载流子寿命发生了大约两倍的变化。对于裂变中子辐照剂量变化两个数量级，没有观察到退火曲线的差异，这表明对于14 MeV中子获得的数据在更高剂量下也是有效的。

著录项

  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |1969年第10期|共5页
  • 作者

    Srour J. R.; Curtis O. L.;

  • 作者单位

    Northrop Corporate Laboratories, Hawthorne, California 90250;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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