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机译:具有顶部N增强层和P注入器的新型肖特基接触超势垒整流器
Chongqing Univ, State Key Lab Power Transmiss Equipment & Syst Se, Chongqing 400044, Peoples R China;
Chongqing Univ, State Key Lab Power Transmiss Equipment & Syst Se, Chongqing 400044, Peoples R China;
Chongqing Univ, State Key Lab Power Transmiss Equipment & Syst Se, Chongqing 400044, Peoples R China;
Sci & Technol Analog Integrated Circuit Lab, Chongqing 401332, Peoples R China;
Power semiconductor devices; Super harrier rectifier (SBR); Schottky contact; Conductivity modulation effect; Surge current capability; Reverse recovery time;
机译:具有N增强层的新型低VF超级势垒整流器(SBR)
机译:漂移区中嵌入P层的双外延层SiC结势垒肖特基整流器的研究
机译:通过插入较薄的ER层或PT层对Ni硅化物/ SI触点进行肖特基-巴里尔高度调制
机译:4H-SiC中的高压肖特基势垒整流器和静电感应晶体管。
机译:具有低肖特基势垒接触的紫外到红外悬浮金属-半导体-金属介观多层MoS2宽带探测器中的超高光响应性
机译:在单层MOS2上的图案化金属触点,使用热纳米光刻消失肖特基障碍
机译:由多层金属化技术形成的浅ptsi-si肖特基势垒接触