First-principle calculations for mechanisms of semiconductor epitaxial growth

Atsushi Oshiyama

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First-principle calculations for mechanisms of semiconductor epitaxial growth

机译：半导体外延生长机理的第一性原理计算

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First-principle total-energy calculations performed for group-IV adatom diffusion on hydrogenated Si(1 0 0) surfaces are reviewed. Elementary atomic reactions during surface diffusion are identified. The morphology of epitaxially grown films is discussed based on quantum mechanical calculations.

机译：回顾了在氢化Si（1 0 0）表面上进行的IV组原子扩散的第一性原理总能量计算。确定了表面扩散过程中的基本原子反应。基于量子力学计算，讨论了外延生长膜的形貌。

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来源
《Journal of Crystal Growth》 |2002年第2002期|p.1-7|共7页
作者
Atsushi Oshiyama;
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作者单位

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类晶体学;
关键词
A1. Adsorption; A1. Diffusion; A1. Growth Models; A3. Molecular beam epitaxy;

机译：A1。吸附;A1。扩散;A1。增长模型;A3。分子束外延;

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