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Reducing he grain size for fabrication of nanocrystalline diamond films

机译：减小纳米晶粒金刚石膜制造的晶粒尺寸

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Microwave plasma-enhanced chemical-vapor-deposited (MPECVD) diamond films grown under various bias conditions applied to the substrates have been examined by electron microscopy. It is noticed that in a certain range, increasing the bias voltage can effectively reduce the diamond grain size. Transmission electron microscopy (TEM) images distinctly reveal that the diamond films consisting of ultrafine crystallites of about 7-10 nm be successfully fabricated by applying an appropriate bias voltage. Comparing the conventional diamond films deposited without bias and the nanocrystalline diamond films grown with a bias, one can see that the latter have better field emission properties.
机译：已经通过电子显微镜检查了在施加到基板上的各种偏压条件下生长的微波等离子体增强化学气相沉积（MPECVD）金刚石膜。注意到在一定范围内，增加偏置电压可以有效地减小金刚石晶粒尺寸。透射电子显微镜（TEM）图像清楚地表明，通过施加适当的偏置电压，可以成功制造出由约7-10 nm的超细微晶体组成的金刚石膜。比较没有偏置沉积的常规金刚石膜和带有偏置生长的纳米晶金刚石膜，可以看到后者具有更好的场发射性能。

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