First-principle calculations of optical properties of wurtzite AIN and GaN

C.Persson; R.Ahuja; A.Ferreira da Silva

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First-principle calculations of optical properties of wurtzite AIN and GaN

机译：纤锌矿AIN和GaN光学性质的第一性原理计算

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The imaginary part of the dielectric function of wurtzite AIN and GaN has been calculated in the long wavelength limit, using two different first-principle electronic structure method. The first method is a full-potential linearized augmented plane wave method and the second is a full-potential linear muffin-tin orbital method.

机译：纤锌矿型AIN和GaN介电函数的虚部已经在长波长范围内使用两种不同的第一性原理电子结构方法进行了计算。第一种方法是全电位线性化增强平面波方法，第二种方法是全电位线性松饼-锡轨道方法。

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来源
《Journal of Crystal Growth》 |2001年第3期|p.407-414|共8页
作者
C.Persson; R.Ahuja; A.Ferreira da Silva;
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作者单位

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类晶体学;
关键词
A1.Computer simulation; A1.Crystal structure; B1.Nitrides;

机译：A1。计算机仿真;A1。晶体结构;B1氮化物;

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