From conformal overgrowth to lateral growth of indium arsenide nano structures on silicon substrates by MOVPE

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• 来源
  《Journal of Crystal Growth》 |2013年第1期|141-145|共5页
• 作者

  Kamil Sladek; Fabian Haas; Markus Heidelmann; Daesung Park; Juri Barthel; Falk Dorn; Thomas E. Weirich$; Detlev Gruetzmacher; Hilde Hardtdegen;

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• 作者单位

  Peter Grilnberg Institut (PGI-9), Forschungszentrum Jiilich andJARA, Germany;

  Peter Grilnberg Institut (PGI-9), Forschungszentrum Jiilich andJARA, Germany;

  Gemeinschaftslabor flir Elektronenmikroskopie, RWTH Aachen, 52074 Aachen, Germany;

  Gemeinschaftslabor flir Elektronenmikroskopie, RWTH Aachen, 52074 Aachen, Germany;

  Ernst Ruska-Centre for Microscopy and Spectroscopy with Electrons, Forschungszentrum Jiilich GmbH and Aachen University, 52425 Jiilich, Germany;

  Gemeinschaftslabor flir Elektronenmikroskopie, RWTH Aachen, 52074 Aachen, Germany;

  Institut flir Kristallographie, RWTH Aachen, 52056 Aachen, Germany;

  Peter Grilnberg Institut (PGI-9), Forschungszentrum Jiilich andJARA, Germany;

  Peter Grilnberg Institut (PGI-9), Forschungszentrum Jiilich andJARA, Germany;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类
• 关键词

  A1. crystal morphology; A1. crystal structure; A1. interfaces; A1. nanostructures; A3. low press; metalorganic vapor phase epitaxy; B2. semiconductingⅢ—Ⅴ materials;

  机译：A1。晶体形态A1。晶体结构A1。接口;A1。纳米结构A3。低压力金属有机气相外延;B2。半导体Ⅲ—Ⅴ材料;