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机译:超声场中固液界面形状对CZ InSb单晶生长过程中条纹的影响
Laboratory of Crystal Growth, Department of Micro and Nanoelectronics, V. Dal Eastern Ukrainian National University, Bl. Molodezhniy 20A, Lugansk 97034, Ukraine;
A1. Growth models; A1. Segregation; A2. Czochralski method; A2. Single crystal growth; B1. Antimonides; B2. Semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials;
机译:使用实验和整体模拟预测CZ Si晶体生长过程中的固液界面形状
机译:肩角对硅钙石型晶体生长中固液界面形状和温度场的影响
机译:通过Cz方法研究蓝宝石单晶生长过程中的界面形状和热应力
机译:德里奇曼单晶生长过程中固液界面的激光超声传感
机译:静态和旋转磁场对硅锗单晶液相扩散生长影响的数值模拟研究
机译:源材料的形态变化对4H-SiC单晶生长界面的影响
机译:生长界面形状对4H-SiC单晶的小区缺陷特性的影响
机译:mCZ:在各种轴向磁场强度下生长的CZ硅晶体中的条纹