Self-assembled GaAs local artificial substrates on Si by droplet epitaxy

著录项

• 来源
  《Journal of Crystal Growth》 |2011年第1期|p.267-270|共4页
• 作者

  S. Bietti; C. Somaschini; N. Koguchi; C. Frigeri; S. Sanguinetti;

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• 作者单位

  L-NESS and Dipartimento di Scienza dei Material!, via Cozzi 53,1-20125 Milano, Italy;

  L-NESS and Dipartimento di Scienza dei Material!, via Cozzi 53,1-20125 Milano, Italy;

  L-NESS and Dipartimento di Scienza dei Material!, via Cozzi 53,1-20125 Milano, Italy;

  Istituto CNR-1MEM, Parco Area delle Scienze 37/A, 43100 Parma, Italy;

  L-NESS and Dipartimento di Scienza dei Material!, via Cozzi 53,1-20125 Milano, Italy;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类
• 关键词

  A1. Nanostructures; A2. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconductors silicon; B2. Semiconductors gallium arsenide;

  机译：A1。纳米结构;A2。分子束外延;B2。半导体硅;B2。半导体砷化镓;