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机译:滚动结构中的应变量子阱,通过μ-光致发光研究
Paul-Drude-lnstitute for Solid State Electronics, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany;
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Paul-Drude-lnstitute for Solid State Electronics, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany;
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curved semiconducting layer stacks; low-dimensional structures; molecular beam epitaxy; quantum wells; semiconducting III-V materials;
机译:InGaAsBi / GaAs应变量子阱的光学特性通过温度依赖性光致发光研究
机译:量子阱中带有应变inas和gaas纳米插入物的调制掺杂In(x)Al1-x As / In(y)Ga1-y As / In(x)Al1-x As结构的光致发光特性
机译:MOCVD生长的压缩应变AlGaInP / GaInP量子阱结构的光致发光
机译:InGaAs应变层对INAS量子点结构和光致发光特性的影响
机译:氮化铝的光学性质和通过光致发光研究的深紫外光子结构。
机译:MBE在GaAs上生长的应变GaAsSb / GaAs QW结构的光致发光和能带排列
机译:GaxIn1-xAs量子线异质结构中温度稳定的1.55μm光致发光
机译:InGaasp / Inp应变多量子阱异质结构中光致发光和光电流的研究