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机译:两个MBE生长制造商平台之间的THz量子级联激光器设计的可重复性和可转移性
Cavendish Laboratory, University of Cambridge, JJ Thomson Avenue, Cambridge CB3 OHE, UK;
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intersubband; low-dimensional structures; molecular beam epitaxy; semiconducting III-V materials; quantum cascade lasers; solid state lasers;
机译:基于GaAs和GaN半导体材料的近端和远红外量子级联激光器:器件设计和MBE生长
机译:稳定发射小于2 THz的间接注入THz量子级联激光器的设计
机译:MBE生长温度,材料质量和量子级联激光器性能的相关性
机译:基于GaAs的THz量子级联激光器的MBE生长参数优化
机译:气体源分子束外延生长的应变平衡量子级联激光器(3-11μm)的建模,设计,生长和表征。
机译:InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
机译:用于间接注射THz量子级联激光器稳定激光的设计,在不到2至THz