Nonpolar m- and α-plane GaN thin films grown on γ-LiAlO_2 substrates

Jun Zou; Weidong Xiang

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Nonpolar m- and α-plane GaN thin films grown on γ-LiAlO_2 substrates

机译：在γ-LiAlO_2衬底上生长的非极性m和α平面GaN薄膜

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Pure single-phase m- and a-plane GaN layers were fabricated on (100)- and (302)-planes of γ-LiAlO_2 (LAO) substrate via metelorganic vapor deposition, respectively. Raman spectra measurement indicates that the crystallinity gradually improves with increasing layer thickness, and smaller stress exists in an a-GaN film. (302)-Plane LAO appears suitable for fabricating high-quality a-GaN layers because the layer on it shows a smoother surface with the root mean square of 60 nm, higher transmittance (85%) and narrower full-width at half-maximum value (FWHM) of X-ray rocking curve (1123 arcsec) than m-GaN on (100)-plane LAO (1735 arcsec).

机译：通过金属有机气相沉积分别在γ-LiAlO_2（LAO）衬底的（100）和（302）面上制造了纯单相m和a面GaN层。拉曼光谱测量表明，随着层厚度的增加，结晶度逐渐提高，并且在a-GaN膜中存在较小的应力。（302）-平面LAO似乎适合于制造高质量的a-GaN层，因为其上的层显示出更光滑的表面，均方根为60 nm，透射率更高（85％），半峰全宽更窄X射线摇摆曲线（1123 arcsec）的值（FWHM）大于（100）平面LAO（1735 arcsec）上的m-GaN。

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来源
《Journal of Crystal Growth》 |2009年第12期|3285-3288|共4页
作者
Jun Zou; Weidong Xiang;
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作者单位

Wenzhou University, Wenzhou, Zhejiang 325035, China Zhejiang Cemcore Technologies Co., Ltd., 32501, China;

Wenzhou University, Wenzhou, Zhejiang 325035, China;

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词
A1. Optical properties; A3. MOCVD; B1. LiA1O_2; B2. GaN layer;

机译：A1。光学性质;A3。 MOCVD;B1。 LiAl 2 O 2;B2。氮化镓层;

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