Crystal growth of GaN on (0001) face by HVPE: Ab initio simulations

Pawel Kempisty; Stanislaw Krukowski

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Crystal growth of GaN on (0001) face by HVPE: Ab initio simulations

机译：HVPE在（0001）面上的GaN晶体生长：从头算模拟

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Crystal growth of gallium nitride on GaN(0001) surface by hydrogen vapor phase epitaxy (HVPE) was modeled using ab initio quantum mechanical density functional theory (QM DFT) calculations. These calculations employed SIESTA package, suitable for bulk and

机译：使用从头算子量子力学密度泛函理论（QM DFT）计算，模拟了氢气相外延（HVPE）在GaN（0001）表面上氮化镓的晶体生长。这些计算采用SIESTA软件包，适用于散装和

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来源
《Journal of Crystal Growth》 |2008年第5期|p.900-905|共6页
作者
Pawel Kempisty; Stanislaw Krukowski;
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作者单位

Faculty of Physics, Warsaw University of Technology, 00-672 Warsaw, Koszykowa 75, Poland;

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类晶体学;
关键词
gallium nitride; hydride vapor phase epitaxy; density functional theory;

机译：氮化镓;氢化物气相外延;密度泛函理论;

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