GaAs_(1-x)N_x on GaAs(001): Nitrogen incorporation kinetics from trimethylgallium, tertiarybutylarsine, and 1,1 -dimethylhydrazine organometallic vapor-phase epitaxy

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• 来源
  《Journal of Crystal Growth》 |2008年第6期|p.1040-1048|共9页
• 作者

  J.-N. Beaudry; R.A. Masut; P. Desjardins;

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• 作者单位

  Regroupement Quebecois sur les Materiaux de Pointe (RQMP), Departement de Genie Physique, Ecole Polytechnique de Montreal, P.O. Box 6079, Station Centre-ville, Montreal, QC, Canada H3C 3A7;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 晶体学;
• 关键词

  A1. Incorporation kinetics; A3. Organometallic vapor-phase epitaxy; B1. Dilute nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

  机译：A1。掺入动力学;A3。有机金属气相外延;B1。稀释的氮化物;B2。半导体III-V材料;