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机译:掺锂的Zn_(0.9)Mg_(0.1)薄膜的p型行为
State Key Laboratory of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310027, People's Republic of China;
A1. Doping; A1. p-Type conduction; A3. Pulsed laser deposition; B1. Zinc compounds;
机译:Mg_(0.1)Zn_(0.9)O层厚度对脉冲激光沉积法制备的ZnO / Mg_(0.1)Zn_(0.9)O纳米多层薄膜光学带隙的影响
机译:应变Zn_(0.1)Mg_(0.9)Se / Zn_(0.8)Mg _(。0.2)Se / Zn_(0.1)Mg_(0.9)Se量子阱中的电场诱导光整流
机译:磷掺杂的p型Zn_(0.9)Mg_(0.1)O中的少数载流子迁移
机译:Zn_(0.9)Cu_(0.1)O_Y射频晶体结构和磁性结构
机译:通过固态反应烧结制备BaCex Zr> sub>(0.9-x)Y0.1O(3-delta)的制备,表征和氢渗透。
机译:Fe(Te0.9Se0.1)薄膜的上临界场和近藤效应的脉冲场测量
机译:使用扫描热显微镜直接电热法测量0.9Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O₃-0.1PbTiO₃薄膜