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【24h】

p-Type behavior in Li-doped Zn_(0.9)Mg_(0.1) thin films

机译:掺锂的Zn_(0.9)Mg_(0.1)薄膜的p型行为

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摘要

We report on Li-doped p-type Zn_(0.9)Mg_(0.1) O thin films grown by pulsed laser deposition. An optimal p-type conductivity is achieved at the substrate temperature of 550 ℃, namely a resistivity of 45.4 O cm, a Hall mobility of 0.302 cm~2 V~(-1) s~(-1),
机译:我们报告了通过脉冲激光沉积生长的掺锂p型Zn_(0.9)Mg_(0.1)O薄膜。在550℃的衬底温度下可获得最佳的p型电导率,即电阻率为45.4 O cm,霍尔迁移率为0.302 cm〜2 V〜(-1)s〜(-1),

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