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机译:ZnSe / GaAs异质结构热退火合成As掺杂ZnO薄膜的研究
Materials Research Institute, Pennsylvania State University, University Park, PA 16802. USA;
A1. Auger electron spectroscopy; A1. p-Type doping; B1. ZnO; B2. Semiconducting II-VI materials;
机译:Znse / ysz异质结构的氧化退火合成的多晶Zno薄膜的结构和光学性质
机译:热退火对在GaAs(100)衬底上生长的p型ZnSe薄膜的表面,光学和结构性质的影响
机译:通过光谱技术对热蒸发ZnSE薄膜退火的影响研究
机译:ZnSE / GaAs / Gaas异质结构ZnSE电场的光学光学研究
机译:快速热退火对MBE生长的光电器件GaAsBi / GaAs异质结构影响的研究。
机译:铝掺杂ZnO薄膜中热退火引起的载流子补偿
机译:热蒸发后退火获得的ZnO薄膜的结构研究