...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >Energetic and kinetic aspects of the growth of pseudomorphic SiGe islands
【24h】

Energetic and kinetic aspects of the growth of pseudomorphic SiGe islands

机译：拟晶SiGe岛生长的能量和动力学方面

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We investigate some principal thermodynamic and kinetic aspects of the growth of pseudomorphic SiGe-islands on Si(001 )-substrates. We use different sets of samples grown by liquid phase epitaxy with different thermodynamic parameters. This approach permits growth rather close to thermodynamic equilibrium conditions contrary to other growth techniques. We determine with atomic force microscopy, the island density and the coverage of islands on the substrates. The systematic analysis yields a consistent description of the evolution of island density and island coverage with time in dependence of important parameters like cooling rate, saturation temperature and Germanium concentration. In addition, we compare sample sets grown very close to thermodynamic equilibrium with sample sets deliberately grown farther away from equilibrium. This comparison allows us to detect and analyze quantitatively the onset of kinetic effects. This study enables us to draw the borderline between energetically and kinetically controlled growth.
机译：我们研究了在Si（001）衬底上生长伪晶SiGe岛的一些主要热力学和动力学方面。我们使用通过液相外延生长的具有不同热力学参数的不同样品集。与其他生长技术相反，这种方法可以使生长非常接近热力学平衡条件。我们用原子力显微镜确定岛密度和基底上岛的覆盖率。系统分析得出了随时间变化而变化的岛密度和岛覆盖率变化的一致描述，这些变化取决于冷却速率，饱和温度和锗浓度等重要参数。此外，我们比较了非常接近热力学平衡的样品组和故意远离平衡的样品组。这种比较使我们能够定量检测和分析动力学效应的发作。这项研究使我们能够划定能量和动力学控制的增长之间的界限。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号