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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >Indium Nitride Quantum Dot Growth Modes In Metalorganic Vapour Phase Epitaxy
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Indium Nitride Quantum Dot Growth Modes In Metalorganic Vapour Phase Epitaxy

机译：金属有机气相外延中的氮化铟量子点生长模式

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We have investigated growth of InN quantum dots (QDs) on GaN (0001) in metalorganic vapour phase epitaxy as a function of growth temperature, trimethylindium partial pressure, and growth time. The growth was analysed in situ by spectroscopic ellipsometry and ex situ by X-ray diffraction and atomic force microscopy. The QDs were found for all growth temperatures between 480℃ and 600℃ and for all growth times. The density increased exponentially with decreasing growth temperature, up to 10~(11) cm~(-2) for 500 ℃. By changing the amount of deposited material it was possible to control the size of the QDs. Above 530 ℃ a reduction of the effective growth rate was also observed. Reducing the Ⅴ/Ⅲ ratio by trimethylindium partial pressure from 15,000 to 5000 led to an increase in the growth rate. Both effects are due to reduced etching of the InN QDs by ammonia.
机译：我们研究了金属有机气相外延中GaN（0001）上InN量子点（QDs）的生长与生长温度，三甲基铟分压和生长时间的关系。通过光谱椭圆仪原位分析生长，并通过X射线衍射和原子力显微镜异位分析生长。在480℃至600℃的所有生长温度以及所有生长时间都发现了QD。密度随着生长温度的降低呈指数增长，在500℃时密度达到10〜（11）cm〜（-2）。通过改变沉积材料的数量，可以控制量子点的大小。在530℃以上，还观察到有效生长速率降低。通过三甲基铟分压将Ⅴ/Ⅲ比从15,000降低到5000，导致生长速率增加。两种效果均归因于氨对InN QD的蚀刻减少。

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