Residual Stress Relaxation In Gan/sapphire Circular Pillars Measured By Raman Scattering Spectroscopy

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• 来源
  《Journal of Crystal Growth》 |2008年第24期|p.5321-5326|共6页
• 作者

  Samuel H. Margueron; Patrice Bourson; Simon Gautier; Ali Soltani; David Troadec; Jean-Claude De Jaeger; Andrei A. Sirenko; Abdallah Ougazzaden;

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• 作者单位

  Laboratoire Materiaux Optiques, Photonique et Systemes (LMOPS)-CNRS UMR 7132, Universite de Metz et SUPELEC, 2 rue Edouard Belin, 57070 METZ, France;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 晶体学;
• 关键词

  a1. raman scattering; a1. residual stresses; a1. focus ion beam; a1. stresses; a3. metalorganic vapour phase epitaxy; b2. semiconducting gallium compounds;

  机译：a1。拉曼散射;a1。残余应力;a1。聚焦离子束;a1。压力;a3。金属有机气相外延;b2。半导体镓化合物;