High-efficiency AlGaN-based UV light-emitting diode on laterally overgrown A1N

著录项

• 来源
  《Journal of Crystal Growth》 |2008年第9期|p.2326-2329|共4页
• 作者

  Kentaro Nagamatsu; Narihito Okada; Hiroki Sugimura; Hirotoshi Tsuzuki; Fumiaki Mori; Kazuyoshi Iida; Akira Bando; Motoaki Iwaya; Satoshi Kamiyama; Hiroshi Amano; Isamu Akasaki;

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• 作者单位

  Faculty of Science and Technology, Meijo University, 1-501 Shiogamaguchi, Tempaku-ku, Nagoya 468-8502, Japan;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 晶体学;
• 关键词

  A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. Light-emitting diodes;

  机译：A3。金属-有机气相外延;B1。氮化物;B3。发光二极管;