Modified Bridgman growth of CdTe crystals

E. Saucedo; P. Rudolph; E. Dieguez

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Modified Bridgman growth of CdTe crystals

机译：CdTe晶体的Bridgman改性生长

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With the aim of improving the structural perfection and reduce the Te particle concentration in CdTe crystals, a modified Bridgman method with artificial seeding has been developed. It allows the adjustment of different degrees of superheating of the melt

机译：为了改善结构完美度并降低CdTe晶体中的Te颗粒浓度，已开发了一种带有人工晶种的改良Bridgman方法。它可以调节熔体的不同过热度

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来源
《Journal of Crystal Growth》 |2008年第9期|p.2067-2071|共5页
作者
E. Saucedo; P. Rudolph; E. Dieguez;
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作者单位

Material Physics Department, Universidad Auto'noma de Madrid, Ctra. Colmenar km 14.5, 28049 Madrid, Spain;

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类晶体学;
关键词
A1. Crystal morphology A2. Bridgman technique; B1. CdTe; B2. Semiconducting II-VI materials;

机译：A1。晶体形态A2。布里奇曼技术;B1。 CdTe;B2。半导体II-VI材料;

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