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【24h】

PbSnTe double-hetero junction laser diode and its application to mid-infrared spectroscopic imaging

机译:PbSnTe双异质结激光二极管及其在中红外光谱成像中的应用

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摘要

In-doped n-PbTe/p-PbSnTe/T1-doped p-PbTe LPE layers were successively grown for the fabrication of mid-infrared (λ~7.5 μm) laser diodes (LDs) by using the constant temperature liquid phase epitaxy on (1 00) oriented p-type PbTe substrates. Substrate mater
机译:在()上使用恒温液相外延法连续生长In掺杂的n-PbTe / p-PbSnTe / T1掺杂的p-PbTe LPE层,以制造中红外(λ〜7.5μm)激光二极管(LD)。 1 00)取向的p型PbTe衬底。基材

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