Low threshold InP/AlGaInP on GaAs QD laser emitting at ～740 nm

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• 来源
  《Journal of Crystal Growth》 |2007年第1期|663-666|共4页
• 作者

  A.B. Krysa; S.L. Liew; J.C. Lin; J.S. Roberts; J. Lutti; G.M. Lewis; P.M. Smowton;

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• 作者单位

  EPSRC National Centre for Ⅲ-Ⅴ Technologies, Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Mappin Street, Sheffield SI 3JD, UK;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 晶体学;
• 关键词

  A3. metalorganic vapor phase epitaxy; B2. semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials; B3. laser diodes;

  机译：A3。金属有机气相外延;B2。半导体Ⅲ-Ⅴ族材料;B3。激光二极管;