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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >Aluminum incorporation in Al_xGa_(1-x)N-layers and implications for growth optimization
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Aluminum incorporation in Al_xGa_(1-x)N-layers and implications for growth optimization

机译：Al_xGa_（1-x）N层中铝的掺入及其对生长优化的影响

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Al_xGa_(1-x)N-layers are applied in various devices based on group-Ⅲ-nitride semiconductors. Crystalline quality, composition and morphology need to be controlled by properly adjusting growth processes. Here we report on Al_xGa_(1-x)N-growth by low pressure MOVPE on planar surfaces of sapphire with focus on Al-incorporation. The solid Al-composition x_(Al) depends critically on growth parameters for constant gas phase compositions. The strongest effect is found for total pressure: Al is efficiently incorporated only at pressures lower than 50 mbar. This can be understood mainly as a result of prereactions in the gas phase involving TMAl and NH_3 which has been discussed earlier in a theoretical paper of the Jensen group [T.G. Mihopoulos, V. Gupta, K.F. Jensen, J. Crystal Growth 195 (1998) 733]. In this publication we compare the predictions of this work with our data and implications for growth optimization.
机译：Al_xGa_（1-x）N层被应用于基于Ⅲ族氮化物半导体的各种器件中。需要通过适当调整生长过程来控制结晶质量，组成和形态。在这里，我们通过在蓝宝石平面上的低压MOVPE报告Al_xGa_（1-x）N的生长，重点是Al的掺入。固态Al组成x_（Al）关键取决于恒定气相组成的生长参数。对于总压力，发现最强的作用：仅在低于50 mbar的压力下才能有效地掺入Al。可以理解为这主要是由于涉及TMAl和NH_3的气相预反应的结果，该反应早在Jensen组的理论论文中已有讨论[TG。密苏里州V.古普塔（Mihopoulos） Jensen，J.Crystal Growth 195（1998）733]。在本出版物中，我们将这项工作的预测与我们的数据以及对增长优化的意义进行了比较。

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