机译:在500-650 nm范围内具有强室温光致发光的InGaN基外延层和量子阱
Ioffe Physico-Technical Institute, Center of Nanoheterostructure Physics, Polytekhnicheskaya 26, 194021 St. Petersburg, Russian Federation;
A1. Crystal morphology; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting indium-gallium nitrides; B3. Photoluminescence;
机译:表现出高内部量子效率(17-22%)的基于橙色发光InGaN的纳米柱的光致发光行为
机译:GaAs基材上1.3-μm范围BGALNA量子孔的室温光致发光和电致发光
机译:量子阱形状对400-500 nm范围内基于InGaN的发光二极管的性能的影响
机译:势垒掺杂对1550 nm范围多量子阱异质结构的光致发光的影响。
机译:富铝氮化铝镓和氮化铝外延层和纳米结构的深紫外光致发光研究。
机译:GaN外延层中Er光学中心的光致发光量子效率
机译:室温微光致发光图表征4H-SiC外延层中的堆垛层错
机译:Zn(1-x)Cd(x)se厚外延层和Zn(1-x)Cd(x)se / Znse应变层多量子阱光致发光谱中光学跃迁的静水压研究