...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >Epitaxial growth and luminescence characterization of Si/β-FeSi_2/Si multilayered structures by molecular beam epitaxy
【24h】

Epitaxial growth and luminescence characterization of Si/β-FeSi_2/Si multilayered structures by molecular beam epitaxy

机译：Si /β-FeSi_2/ Si多层结构的分子束外延外延生长和发光特性

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We have fabricated single-, three- and five-layered Si/β-FeSi_2/Si (SFS) double heterostructures (DH) on Si (001) substrates by reactive deposition epitaxy (RDE) for β-FeSi_2 and by molecular beam epitaxy (MBE) for Si. Time-resolved photoluminescence (PL) measurements revealed that the luminescence at 1.54 μm was composed of fast (16 ns) and slow (150 ns) components at 8 K. These are thought to originate from β-FeSi_2 and the defect-related D1 line in Si, respectively. 1.6 μm electroluminescence (EL) was obtained at room temperature (RT) from the five-layered SFS DH for current densities above 20 A/cm~2.
机译：我们已经通过对β-FeSi_2的反应沉积外延（RDE）和分子束外延在硅（001）衬底上制造了单层，三层和五层Si /β-FeSi_2/ Si（SFS）双异质结构（DH）。 MBE）for Si。时间分辨的光致发光（PL）测量表明，在8 K时，1.54μm处的发光由快速（16 ns）和慢速（150 ns）组成。这些被认为源自β-FeSi_2和缺陷相关的D1线分别在Si中。在室温（RT）下，对于电流密度大于20 A / cm〜2的五层SFS DH，可获得1.6μm电致发光（EL）。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号