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【24h】

Growth, interface structure and magnetic properties of Heusler alloy Co_2FeSi/GaAs(001) hybrid structures

机译：Heusler合金Co_2FeSi / GaAs（001）杂化结构的生长，界面结构和磁性能

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We have investigated the growth, interface structure, and magnetic properties of full-Heusler alloy Co_2FeSi/GaAs(001) hybrid structures. We found that a L2_1-ordered Co_2FeSi layer with an atomically abrupt interface can be achieved up to the growth temperature T_G of 200℃. The simulations of the high-resolution transmission electron microscopy interference pattern for Co_2FeSi/GaAs(001) interface suggests a 1 layer of intermixing at the interface. Both uniaxial and cubic in-plane magnetic anisotropy constants decrease above 200℃ in correspondence with the proceeding interfacial reaction, indicating degradations of the interface perfection as well as the ordering of the layer. The formation of interfacial compounds reduces the saturation magnetization of the Co_2FeSi layer in higher T_G, which can deteriorate its expected half-metallicity.
机译：我们研究了全赫斯勒合金Co_2FeSi / GaAs（001）杂化结构的生长，界面结构和磁性。我们发现，达到200℃的生长温度T_G时，可以获得具有原子突变界面的L2_1有序的Co_2FeSi层。 Co_2FeSi / GaAs（001）界面的高分辨率透射电子显微镜干涉图样的仿真表明，在界面处存在一层混合。随界面反应的进行，单轴和立方面内磁各向异性常数都在200℃以上降低，这表明界面的完善性和层的有序性降低。界面化合物的形成降低了较高T_G中Co_2FeSi层的饱和磁化强度，这可能会降低其预期的半金属性。

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