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【24h】

MBE-grown ultra-large aperture single-mode vertical-cavity surface-emitting laser with all-epitaxial filter section

机译：MBE生长的具有全外延滤光片部分的超大孔径单模垂直腔面发射激光器

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A novel GaAs-AlGaAs vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) design based on the coupled cavities and all-epitaxial non-transparent filter section (F-VCSEL) was proposed. The key point of this approach is that the absorption filter selectively provides the high losses for off-resonance optical modes and relatively narrow transparency window (～1.3 nm). The broad area (100 μm x 500 μm) F-VCSEL devices with a metal contact grid on the top demonstrate the 0.85 μm range narrow line emission and the Gaussian-like far-field patterns, which confirm the possibility of the achievement of the surface-emitting lasing by using the all-epitaxial wavelength-selective filter concept. Single-mode operation in wide pump current range in F-VCSEL was achieved at the larger oxide current aperture (3 μm) as compared with that for the conventional oxide-confined VCSEL (1 μm).
机译：提出了一种基于耦合腔和全外延非透明滤光片（F-VCSEL）的新型GaAs-AlGaAs垂直腔面发射激光器（VCSEL）设计。这种方法的重点是，吸收滤光片选择性地为失谐光学模式提供较高的损耗，并且透明窗口相对较窄（〜1.3 nm）。顶部具有金属接触栅的广域（100μmx 500μm）F-VCSEL器件显示0.85μm范围的窄线发射和类似高斯的远场图案，这证实了实现表面的可能性使用全外延波长选择滤光片的概念来发射激光。与传统的氧化物限制的VCSEL（1μm）相比，在较大的氧化物电流孔径（3μm）下，在F-VCSEL的宽泵浦电流范围内实现了单模工作。

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