Homoepitaxial growth of Ti-Si-C MAX-phase thin films on bulk Ti_3SiC_2 substrates

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• 来源
  《Journal of Crystal Growth》 |2007年第1期|p.264-269|共6页
• 作者

  P. Eklund; A. Murugaiah; J. Emmerlich; Zs. Czigany; J. Frodelius; M.W. Barsoum; H. Hoegberg; L. Hultman;

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• 作者单位

  Thin Film Physics Division, Department of Physics, Chemistry, and Biology, IFM, Linkoeping University, SE-581 83 Linkoeping, Sweden;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 晶体学;
• 关键词

  A1. Scanning electron microscopy; A1. Transmission electron microscopy; A1. X-ray diffraction; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Carbides; B1. Nanomaterials;

  机译：A1。扫描电子显微镜;A1。透射电子显微镜;A1。 X射线衍射;A3。物理气相沉积过程;B1。硬质合金;B1。纳米材料;