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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >Effects of nitridation time on top-emission inverted organic light-emitting diodes
【24h】

Effects of nitridation time on top-emission inverted organic light-emitting diodes

机译：氮化时间对顶部发射倒置有机发光二极管的影响

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A top-emission inverted organic light-emitting diode (TEIOLED) was fabricated by using Al/AlN_x layer as the cathode in the device structure of glass/Al/AlN_x/AlQ_3/NPB/MTDATA/Au/Ag, where AlN_x ultra-thin layer was obtained from Al layer under 90 W microwave plasma treatments in Ar and N_2 mixed-gas environment. The N_2/Ar ratio and plasma treatment time were adjusted to obtain the maximum luminance and efficiency of 1206cd/m~2 and 0.51 cd/A, respectively, both at 17V. The AlN_x layer surface after plasma treatment was examined by atomic force microscope (AFM) to study the effects of surface roughness on the electroluminescent (EL) characteristics. The thickness of A1N_X layer also affected EL results apparently.
机译：在玻璃/ Al / AlN_x / AlQ_3 / NPB / MTDATA / Au / Ag的器件结构中，以Al / AlN_x层为阴极制备了顶部发射型反向有机发光二极管（TEIOLED），其中AlN_x超薄在Ar和N_2混合气体环境下，在90W微波等离子体处理下，从Al层获得了铝层。调节N_2 / Ar比和等离子处理时间，分别在17V时获得最大亮度和效率分别为1206cd / m〜2和0.51cd / A。通过原子力显微镜（AFM）检查等离子体处理后的AlN_x层表面，以研究表面粗糙度对电致发光（EL）特性的影响。 AlN_X层的厚度显然也影响EL结果。

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