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机译:稀氮化物的材料特性:Ga(In)NAs和Ga(In)NP
Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, San Diego, La Jolla, CA, USA;
A1. Band structure of crystalline solids; A1. Electron density of states;
机译:稀薄(AlGaIn)NAs激光材料中微观晶格结构的局部模式光谱和数值模拟评估
机译:GaP衬底上拟态应变的新型直接带隙,稀释氮化物Ga(NAsP)材料系统的MOVPE生长条件
机译:GaP基稀氮化镓Ga(NAsP)材料系统的发光研究
机译:退火效应的定量解释及掺入稀氮化物N + GaAs / P Ga(In)NAS太阳能电池的内部量子效率
机译:掺铒氮化镓/铟氮化镓材料的光学和结构性能和通过金属有机化学气相沉积合成的装置
机译:新型2D结构材料:碳镓氮化物(CC-GaN)和硼-氮化镓(BN-GaN)异质结构—通过密度函数进行材料设计理论
机译:(In,Ga)As / GaP量子点和(GaAsPN / GaPN)稀释的氮化物纳米层的结构和光学性质相干生长在GaP和Si衬底上,用于光子学和光伏应用