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【24h】

Computer-assisted growth of low-EPD GaAs with 3' diameter by the vertical gradient-freeze technique

机译：垂直梯度冻结技术通过计算机辅助生长直径为3英寸的低EPD GaAs

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We have grown 3", silicon-doped GaAs crystals with low dislocaion density by the vertical gradeitn freeze (VGF) method. Thue thermal conditions in a nely designed, multi-zone VGF-furnace were optimied by the aid of numerical simulation. A comptuer contorlled temeprautre-time program of the 9 heaters was acquired which allows to keep the axial temperautre gradeitn in the solid (liquid) GaAs at the optimized constant values of 7(2) K/cm during the whole growth process. By using these calculated heater temepratures in real growth experiments, we succeeded in growing 3" single crystals with EPD<500 cm~-2.
机译：我们已经通过垂直梯度冻结（VGF）方法生长了具有低位错密度的3英寸硅掺杂GaAs晶体。通过精确的数值模拟，优化了在精心设计的多区域VGF炉中的热条件。获得了9个加热器的扭曲temeprautre-time程序，该程序可以在整个生长过程中将固体（液体）GaAs中的轴向温度梯度保持在最佳恒定值7（2）K / cm。在实际生长实验中，我们成功地生长了EPD <500 cm〜-2的3“单晶。

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