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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >Moleculr beam epitaxy (MBE) growht and strucutral properties of GaNJ and AlN on 3C-SiC(0 0 1) substrates
【24h】

Moleculr beam epitaxy (MBE) growht and strucutral properties of GaNJ and AlN on 3C-SiC(0 0 1) substrates

机译：在3C-SiC（0 0 1）衬底上GaN和AlN的分子束外延（MBE）生长和结构特性

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AlN and GaNJ was deposted by molecular beam epitaxy (MBE) on 3C-SiC(0 0 1) substrates on low-temeprautre (LT) GaN and AlNJ buffer laeyrs. Itr is shown that not only GaN bu also epitaxial AlN can be stabilized in the metastable zincblende phase. The zincblende AlN is only obtained on a zincblende LT-GaN buffer laeyr; on the other hand, AlN crystallizes in the wuritzite phase if it si grown directly on a 3C-SiC(0 0 1) substrate or on a LT-AlN buffer layer. The sturcutral properties of the layers and in particular the orientation relationship of the wurtzite AlN on the 3C-SiC(0 0 1) were analyzed by conventional and high-resolution transmission electron microsocpy.
机译：AlN和GaNJ通过分子束外延（MBE）在低聚对苯二甲酸（LT）GaN和AlNJ缓冲层上的3C-SiC（0 0 1）衬底上沉积。结果表明，不仅GaN bu而且外延AlN也可以稳定在亚稳态闪锌矿相中。闪锌矿AlN仅在闪锌矿LT-GaN缓冲层上获得;另一方面，如果AlN直接生长在3C-SiC（0 0 1）衬底或LT-AlN缓冲层上，则在纤锌矿相中结晶。通过常规的高分辨率透射电子显微镜分析了层的结构特性，特别是纤锌矿型AlN在3C-SiC（0 0 1）上的取向关系。

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