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Vertically stacked quantum dots grown by ALMBE and MBE

机译：ALMBE和MBE生长的垂直堆叠量子点

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We report on a systematic study of InAs/GaAs self-aggregated quantum dot (QD) structures grown by ALMBE and MBE, consisting of 1-11 QD laeyrs and of spacer layers with thicknesses of 53 ML. The AFM study of the topmost, uncapped layer of QDs shows that ALMBE structues are more ordered and have QDs with larger dimensions and with sharper size distributions than the MBE counterparts. The energies and full-widths at half-maxima (fwhm) of 10 K photoluminescence (PL) transitions have been studied as functions of the number of stacked layers and of spacer thicknesses. We show that ALMBE allows the grwoth of stacked-QD structures tha have bright PL at RT, emission wavelengths at RT very close to the 1.3μm spectral window and 10 k fwhms as lwo as 22 meV.
机译：我们报告了对由ALMBE和MBE生长的InAs / GaAs自聚集量子点（QD）结构的系统研究，该结构由1-11个QD层和厚度为53 ML的间隔层组成。 AFM对最顶层，未封盖的QD层的研究表明，与MBE对应层相比，ALMBE结构更有序，并且具有更大的尺寸和更清晰的尺寸分布。已经研究了10 K光致发光（PL）跃迁的半高能量（fwhm）的能量和全宽与堆叠层数和间隔物厚度的关系。我们表明，ALMBE允许堆叠的QD结构在RT处具有明亮的PL，在RT处的发射波长非常接近1.3μm的光谱窗口和10 k fwhms，低至22 meV。

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