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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >Growth of InAsP/InP quantum wells by solid source MBE on misoriented and exact InP (1 1 1)B: substrate temperature and arsenic species effects
【24h】

Growth of InAsP/InP quantum wells by solid source MBE on misoriented and exact InP (1 1 1)B: substrate temperature and arsenic species effects

机译：固体源MBE在取向错误且精确的InP（1 1 1）B上生长的InAsP / InP量子阱：衬底温度和砷物种的影响

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Two series of strained InAsP/InP mulitquantum wells (MQWs) were grwon by solid source molecular beam epitaxy (SSMBE) simultanoeusly on Fe-doed InP substrates with a growth orientation of eithr (1 0 0), exact (1 1 1)B, and (1 1 1)B misoriented 1 deg toward <-2 1 1>. The MQWs were grown using either dimer or tetramer arsenic (As_2 or As_4) oiver a substrate temperature range of 420-535 deg C. The θ-2θ X-ray diffraction measurements, the atomic vorce microscopy (AFM) images of the surfaces, and the 8 K photoluminescence (PL) full-width at half-maximum (FWHM) values of the (1 1 1)B samples showed general improvement in the samples' material properties with increasing substrate temeprautre. While the X-rkay diffraction measurements and the AFM images showed little difference between As_2 and As_4, the 8 zk PL FWHM values varied greatly with respect to the arsenic species used. The exact (1 1 1)B samples had narrower 8 k K PL FWHM values when grown with As_2. For growth on misoriented (1 1 1)B InP, the 8 K FWHM values narrowed with As_4. The misoriented (1 1 1)B at 495 deg C when gorown with Asθθ_2.
机译：固态源分子束外延（SSMBE）同时在Fe掺杂的InP衬底上生长两个系列的InAsP / InP多量子阱（MQW），其生长方向为（1 0 0），精确（1 1 1）B， （1 1 1）B向<-2 1 1>方向错位1度。在基板温度范围为420-535℃的条件下，使用二聚体或四聚体砷（As_2或As_4）生长MQW。θ-2θX射线衍射测量，表面原子原子显微镜（AFM）图像以及（1 1 1）B样品的8 K半峰全宽（FWHM）值显示，随着基材temeprautre的增加，样品的材料性能普遍得到改善。尽管X-rkay衍射测量和AFM图像显示As_2和As_4之间几乎没有差异，但8 zk PL FWHM值相对于所用砷种类却有很大差异。当与As_2一起生长时，精确的（1 1 1）B样品具有较窄的8 k K PL FWHM值。对于在方向错误的（1 1 1）B InP上的生长，8 K FWHM值使用As_4缩小。当与Asθθ_2相伴时，在495摄氏度时取向错误的（1 1 1）B。

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