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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >MBE growth and characterisation of Al_xGa_(1-x)Sb layers on GaSb substrates
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MBE growth and characterisation of Al_xGa_(1-x)Sb layers on GaSb substrates

机译：GaSb衬底上的MBE生长和Al_xGa_（1-x）Sb层的表征

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Al_xGa_(1-x)Sb layers on GaSb(0 0 1) have been grown by molecular beam epitaxy (MBE) and characterised by high-resolution X-ray diffraction (HRXRD) and secondary ion mass spectrometry (SIMS) measurements. The antimonide lyaers inevitably contain residual As amounting to 0.5 mol/100. This cannot be avoided when growing the films in a MBE apparatus previously used for GaAs growth, at lest for the applied growth temperature of 470 deg C. Segregation processes of Ga from the GaSb buffer layer and Al from the heteroepitatxial layer into the layers above are detected by SIMS. Since monomeric Sb forms metallic films on the sample surface, teh exposure to a monomeric Sb flux below 370 deg C should be avoided in order to obtain a clean surface. The composition of the 150 nm thick quaternary Al_xGa_(1-x)Sb layers was determined with high precision.
机译：GaSb（0 0 1）上的Al_xGa_（1-x）Sb层已通过分子束外延（MBE）生长，并通过高分辨率X射线衍射（HRXRD）和二次离子质谱（SIMS）测量进行了表征。锑化物溶解剂不可避免地含有总计0.5 mol / 100的残留As。当在先前用于GaAs生长的MBE设备中生长薄膜时，这是不可避免的，至少要达到所施加的470摄氏度的生长温度。Ga从GaSb缓冲层和Al从异质外延层到上面各层的偏析过程是由SIMS检测。由于单体Sb在样品表面形成金属膜，因此应避免暴露于370℃以下的单体Sb助焊剂中，以获得清洁的表面。以高精度确定150nm厚的第四Al_xGa_（1-x）Sb层的组成。

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