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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >A numerical simulation mode1 for molecular-beam epitaxial (MBE) growth on nonplanar surfaces
【24h】

A numerical simulation mode1 for molecular-beam epitaxial (MBE) growth on nonplanar surfaces

机译：非平面表面上分子束外延（MBE）生长的数值模拟模式1

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This paper presents an improved model for the description of molecular-beam epitaxial growth on nonplanar surfaces. In this model, atomic flows on the growing surface (incident flux, surface migration, incorporation, dissociation. and desorption) are all reduced to a continuity equation that can be solved for the growth velocity. The growth morphology can be simulated using the physical parameters such as the migration length that may depend on the surface orientation. By carrying out the simulations of GaAs growth, we investigated the role of the surface migration in the formation of growth morphology. Results suggest that there exist two types of atomic steps depending on the surface orientation f one is the step acting as a sink for Ga atoms and the other is the step that has almost no capability of capturing Ga atoms.
机译：本文提出了一种改进的模型，用于描述非平面表面上的分子束外延生长。在该模型中，生长表面上的原子流（入射通量，表面迁移，结合，解离和解吸）都简化为可以求解生长速度的连续性方程。可以使用物理参数（例如可能取决于表面方向的迁移长度）模拟生长形态。通过进行GaAs生长的模拟，我们研究了表面迁移在生长形态形成中的作用。结果表明，取决于表面取向，存在两种类型的原子台阶，一种是充当Ga原子吸收体的台阶，另一种是几乎没有捕获Ga原子的能力的台阶。

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