机译:过饱和度对晶面演化的影响-理论分析
Institute of Physics, Technical University of Lodz, Wolczanska 219, 93-005 Lodz, Poland;
A1. Crystal morphology; A1. Growth models; A2. Growth from solutions;
机译:拉晶生长晶体形状演化的理论分析
机译:y形通道抗溶剂结晶晶体轨迹晶体生长和局部过饱和的数值分析
机译:硅晶体生长过程中空位过饱和和氮掺杂效应的理论研究
机译:硅晶体生长和氮掺杂效应期间空位过饱和的理论研究
机译:通过动态过饱和控制蛋白质晶体的生长。
机译:作者更正:系列飞秒晶体学中过饱和度控制的微晶化和可视化分析
机译:过饱和进化和凝胶中晶体生长中的第一沉淀位置;应用于碳酸钡和锶
机译:KH sub 2 pO sub 4晶体在恒温和过饱和状态下的生长:最终报告,1982年8月20日至1984年5月30日