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Transmission electron microscopy study of defect reduction in two-step lateral epitaxial overgrown nonplanar GaN substrate templates

机译：透射电子显微镜研究两步横向外延生长的非平面GaN衬底模板中缺陷的减少

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Transmission electron microscopy (TEM) is carried out to characterize the extended defect reduction in low-defect nonplanar GaN substrate templates grown by lateral epitaxial overgrowth (LEO). The LEO nonplanar GaN substrate template has a trapezoidal cross section with smooth (0 0 0 1) and {1 1 2 2} facets. We demonstrate here the dislocation distribution and behavior in both ordinary LEO and two-step LEO. Penetration of threading dislocations (TDs) beyond mask windows is observed in ordinary LEO Substrates. In two-step LEO substrates, which utilize the tendency for TDs to bend 90 at certain plane interfaces, only a type dislocations with Burgers vector b = (3)/(1) < 1 1 2 0 > are generated in the upper part above the TD bending zone between two mask windows with a density of similar to 8 x 10(7)cm(-2), and there are almost no dislocations in the LEO wing region. This approach provides a promising path to produce low-defect GaN substrate templates for high-performance buried heterostructure lasers. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：进行透射电子显微镜（TEM）表征通过横向外延过度生长（LEO）生长的低缺陷非平面GaN衬底模板中缺陷的扩展减少。 LEO非平面GaN衬底模板的梯形横截面具有光滑（0 0 0 1）和{1 1 2 2}的小平面。我们在这里展示了普通LEO和两步LEO中的位错分布和行为。在普通的LEO基板中，观察到了超出掩模窗口的螺纹位错（TD）的渗透。在利用TD在某些平面界面上弯曲90的趋势的两步LEO基板中，在上方的上部仅生成具有Burgers向量b =（3）/（1）<1 1 2 0>的类型位错。两个面罩窗口之间的TD弯曲区域的密度接近8 x 10（7）cm（-2），在LEO机翼区域几乎没有错位。这种方法为生产用于高性能掩埋异质结构激光器的低缺陷GaN衬底模板提供了一条有希望的途径。 （c）2006 Elsevier B.V.保留所有权利。

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