Numerical study for diffusion processes in dissolution and growth of CdxHg1-xTe/CdTe heterostructures formed by LPE. Part I. Isothermal conditions

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• 来源
  《Journal of Crystal Growth》 |2006年第2期|p. 350-356|共7页
• 作者

  Shcheritsa O; Mazhorova OS; Denisov IA; Popov YP; Elyutin A;

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• 作者单位

  RAS, Dept Comp Simulat Technol, MV Keldysh Appl Math Inst, Moscow 125047, Russia;

  State Inst Rare Met, Moscow 109017, Russia;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 晶体学;
• 关键词

  computer simulation; liquid-phase epitaxy; semiconducting ternary compounds; LIQUID-PHASE EPITAXY; III-V-HETEROSTRUCTURES; TERNARY ALLOYS; SOLID-SOLUTION; TE-RICH; KINETICS; SIMULATION; CONVECTION; (HG; CD)TE; MODEL;

  机译：计算机模拟;液相外延;半导体三元化合物;液相表位;III-V-异质结构;三元合金;固溶体;富TE;动力学;模拟;对流;（HG;CD）TE;模型;