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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >High-temperature (T >= 400 K) operation quantum cascade lasers with thin InAs of strain-compensated insertion layers and AlAs blocking barriers
【24h】

High-temperature (T >= 400 K) operation quantum cascade lasers with thin InAs of strain-compensated insertion layers and AlAs blocking barriers

机译：具有应变补偿插入层和InAs阻挡层的薄InAs的高温（T> = 400 K）操作量子级联激光器

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Conventional strain -compensated quantum cascade (QC) lasers are fabricated with both tensile strained AlInAs and compressively strained GaInAs layers. We show that strain compensation can also be achieved using tensile strained AlInAs barrier layers and lattice-matched GaInAs with thin InAs layers inserted. In the present paper, we use Al0.6In0.4As as barriers. The tensile strain caused by these barriers is compensated by thin InAs layers inserted into the lattice-matched GaInAs wells. The lasers, mounted epilayer up with as-cleaved facets, operate in pulsed mode up to 400 K (127 ° C) at a wavelength of λ ∼ 5.3 μ m. For a laser with a ridge size of 18 pm x 3 mm, the maximum output peak power per facet obtained is I W at room temperature (27° C). © 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：传统的应变补偿量子级联（QC）激光器是由拉伸应变的AlInAs层和压缩应变的GaInAs层组成的。我们表明，也可以使用拉伸应变AlInAs势垒层和插入了InAs薄层的晶格匹配GaInAs来实现应变补偿。在本文中，我们使用Al0.6In0.4As作为势垒。由这些势垒引起的拉伸应变可以通过插入晶格匹配的GaInAs阱中的InAs薄层来补偿。激光器，其外延层被切割后的小平面向上安装，在λ＆SIM;波长下以高达400 K（127°C）的脉冲模式工作。 5.3微米对于脊尺寸为18 pm x 3 mm的激光器，在室温下（27℃），获得的每个小面的最大输出峰值功率为IW。 ＆复制; 2005 Elsevier B.V.保留所有权利。

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