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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >One of the potentially optimal interfaces of beta-FeSi2/Si
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One of the potentially optimal interfaces of beta-FeSi2/Si

机译：β-FeSi2/ Si的潜在最佳界面之一

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A possible optimal epitaxial relationship between the beta-FeSi2 film and a Si substrate was determined using the Delta g parallelism rule and a CCSL model. The predicted interface exhibits a good lattice matching, containing a secondary invariant line lying in an irrational orientation of [-2 -2.9 2.9](Si). The corresponding interface (-2.9 1 - 1)(Si), which defines the plane of the Si substrate, must contain steps. This interface may contain a set of the secondary edge dislocations with the Burgers vector of [0 1 0](beta)/2 in a spacing of 26 nm to accommodate the small (1.5%) misfit between [0 1 0](beta) and [0 - 1 - 1](Si). Since the overall interfacial misfit is small, a high-quality beta-FeSi2 film will be possibly obtained by epitaxial growth on the special stepped Si substrate. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：使用Delta g平行度规则和CCSL模型确定了β-FeSi2薄膜和Si衬底之间可能的最佳外延关系。预测的界面显示出良好的晶格匹配，其中包含以[-2 -2.9 2.9]（Si）为非理性取向的次要不变线。定义Si基板平面的相应界面（-2.9 1-1）（Si）必须包含台阶。该界面可能包含一组辅助边缘位错，其Burgers矢量为[0 1 0]β/ 2，间距为26 nm，以适应[0 1 0]β之间小的（1.5％）失配和[0-1-1]（Si）。由于总的界面失配很小，因此可以通过在特殊的阶梯状Si衬底上外延生长获得高质量的β-FeSi2膜。 （c）2005 Elsevier B.V.保留所有权利。

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