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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >Comments on the article 'Transport properties of Sn-doped InSb thin films and application to Hall element' [J. Crystal Growth 251 (2003) 560]
【24h】

Comments on the article 'Transport properties of Sn-doped InSb thin films and application to Hall element' [J. Crystal Growth 251 (2003) 560]

机译：评论“掺锡InSb薄膜的传输特性及其在霍尔元件中的应用”一文。晶体生长251（2003）560]

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In this letter, we comment on the article "Transport properties of Sn-doped InSb thin films and applications to Hall element". We are convinced that most of the article contains results and ideas, which are not new, they have been described in the literature. In the introduction the authors declare: "The main aim of this study was to clarify several unique transport phenomena that have been observed in these epitaxial films". We wish to prove that the goal was achieved in our earlier publications. Unfortunately, it seems that the authors are not aware of that, as they do not mention the publications in the literature references. Therefore, below we point out the relevant articles.
机译：在这封信中，我们对文章“ Sn掺杂的InSb薄膜的传输特性及其在霍尔元件中的应用”进行了评论。我们坚信，本文的大部分内容都包含了成果和观点，这些成果和观点并不新鲜，它们已经在文献中进行了描述。在引言中，作者宣称：“这项研究的主要目的是阐明在这些外延膜中观察到的几种独特的传输现象”。我们希望在我们较早的出版物中证明该目标已实现。不幸的是，作者似乎没有意识到这一点，因为他们没有在参考文献中提及出版物。因此，下面我们指出相关文章。

著录项

  • 来源
    《Journal of Crystal Growth》 |2004年第4期|p.600-602|共3页
  • 作者

    M. Oszwaldowski;

  • 作者单位

    Instytut Fizyki, Politechnika Poznanska Phisics Dep., ul. Nieszawska 13a, Poznan 60965, Poland;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 晶体学;
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