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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >The effect of reactor pressure on selective area epitaxy of GaAs in a close-coupled showerhead reactor
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The effect of reactor pressure on selective area epitaxy of GaAs in a close-coupled showerhead reactor

机译：反应堆压力对封闭耦合喷头反应堆中GaAs选择性区域外延的影响

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Selective area epitaxy (SAE) is an established means to control the lateral size and height of epitaxial features. An enhanced growth rate is observed to be a function of mask dimensions. In this study, the effects of reactor pressure and configuration on the SAE of GaAs were studied. Using a SiO_2 mask in a dual stripe configuration, the growth rate enhancement and mesa shape were measured at reactor pressures ranging from 50 to 600 Torr. Results are obtained using a close-coupled showered (CCS) reactor design and compared to a conventional horizontal reactor. The CCS reactor demonstrates a wide range of pressure for stable operation, which has notable advantages for SAE.
机译：选择性区域外延（SAE）是控制外延特征的横向尺寸和高度的既定手段。观察到增长的增长率是掩模尺寸的函数。在这项研究中，研究了反应堆压力和构型对GaAs的SAE的影响。使用双条纹配置的SiO_2掩模，在50至600托的反应堆压力下测量了生长速率的提高和台面形状。使用封闭耦合淋浴（CCS）反应器设计可获得结果，并将其与常规卧式反应器进行比较。 CCS反应器显示出宽广的压力范围，可稳定运行，这对SAE具有明显的优势。

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