Polycrystals growth on dielectric masks during InP/GaAs selective MOVPE

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• 来源
  《Journal of Crystal Growth》 |2004年第3期|p.411-418|共8页
• 作者

  Masakazu Sugiyama; Ho-jin Oh; Yoshiaki Nakano; Yukihiro Shimogaki;

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• 作者单位

  Department of Electronic Engineering, University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 晶体学;
• 关键词

  A1. Growth models; A1. Surface processes; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting indium phosphides;

  机译：A1。增长模型;A1。表面工艺;A3。金属有机气相外延;B2。半导体砷化镓;B2。半导体磷化铟;