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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >Epitaxial growth of Pt(001) thin films on Si substrates using an epitaxial γ-Al_2O_3(001) buffer layer
【24h】

Epitaxial growth of Pt(001) thin films on Si substrates using an epitaxial γ-Al_2O_3(001) buffer layer

机译：使用外延γ-Al_2O_3（001）缓冲层在Si衬底上外延生长Pt（001）薄膜

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For the first time, an epitaxial Pt(001) thin film has been grown successfully on a Si(001) substrate using an epitaxial γ-Al_2O_3(001) buffer layer. The epitaxial γ-Al_2O_3(001) buffer layers on Si substrates were prepared by chemical vapor deposition using trimethyl aluminum and O_2 gas. The epitaxial Pt(001) films were deposited on the epitaxial Al_2O_3(001) layer using RF sputtering at a low deposition rate (～0.7 nm/min), at a substrate temperature of 600℃. This could enable the deposition of (001) oriented ferroelectric films on the Pt(001).
机译：首次使用外延γ-Al_2O_3（001）缓冲层在Si（001）衬底上成功生长了外延Pt（001）薄膜。利用三甲基铝和O_2气体通过化学气相沉积法制备了Si衬底上的外延γ-Al_2O_3（001）缓冲层。在600℃的衬底温度下，以低沉积速率（〜0.7 nm / min）用RF溅射在外延Al_2O_3（001）层上沉积外延Pt（001）薄膜。这可以实现在Pt（001）上沉积（001）取向的铁电薄膜。

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