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【24h】

Photoluminescence probing of non-radiative channels in hydrogenated In(Ga)As/GaAs quantum dots

机译：氢化In（Ga）As / GaAs量子点中非辐射通道的光致发光探测

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We report here on the efficient use of hydrogenation as a tool to investigate the intrinsic properties of non-radiative recombination channels in a low-pressure metal-organic vapor phase epitaxy grown quantum dots (QDs) array emitting around 1.3 μm. It is shown that hydrogenation reduces by a factor of two the flow of charge carriers to non-radiative channels in QDs related to the presence of impurities and further suppresses completely the non-radiative recombinations originating from the stacking faults and dangling bonds. Most importantly, hydrogenation improves the room temperature photoluminescence intensity of the ≈1.3 μm emitting In(Ga)As/GaAs QDs by a factor close to ten.
机译：我们在这里报告有效使用氢化作为一种​​工具，以研究在约1.3μm的低压金属-有机气相外延生长量子点（QDs）阵列中非辐射复合通道的内在特性。结果表明，加氢将载流子流向量子点中与杂质存在有关的非辐射通道的流量减少了两倍，并进一步完全抑制了由堆叠缺陷和悬挂键引起的非辐射复合。最重要的是，氢化可将≈1.3μm发射In（Ga）As / GaAs QD的室温光致发光强度提高近十倍。

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