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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >The incorporation behavior of arsenic and antimony in GaAsSb/GaAs grown by solid source molecular beam epitaxy
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The incorporation behavior of arsenic and antimony in GaAsSb/GaAs grown by solid source molecular beam epitaxy

机译：固体源分子束外延生长GaAsSb / GaAs中砷和锑的结合行为

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GaAsSb ternary epitaxial layers were grown on GaAs (001) substrate in various Sb-4/As-2 flux ratios by solid source molecular beam epitaxy. The alloy compositions of GaAs1-ySby were inferred using high-resolution X-ray symmetric (004) and asymmetric (224) glance exit diffraction. The non-equilibrium thermodynamic model is used to explain the different incorporation behavior between the Sb-4 and As-2 under the assumption that one incident Sb-4 molecule produces one active Sb-2 molecule. It is inferred that the activation energy of Sb-4 dissociation is about 0.46 eV. The calculated results for the incorporation efficiency of group V are in good agreement with the experimental data. (C) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：通过固体源分子束外延，以各种Sb-4 / As-2通量比在GaAs（001）衬底上生长GaAsSb三元外延层。使用高分辨率X射线对称（004）和非对称（224）扫视出射衍射推断GaAs1-ySby的合金成分。在假设一个入射Sb-4分子产生一个活性Sb-2分子的假设下，使用非平衡热力学模型来解释Sb-4和As-2之间的不同结合行为。推断Sb-4解离的活化能为约0.46eV。 V组结合效率的计算结果与实验数据吻合良好。 （C）2004 Elsevier B.V.保留所有权利。

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